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详细信息
英飞凌IGBT模块FF400R12KE3变频器IGBT模块 IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
产品: IGBT Silicon Modules 配置: Dual
集电极—发射极*大电压 VCEO: 1200 V ; 集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 580 A ; 栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 2000 W ; *大工作温度: + 125 C ; 封装 / 箱体: 62 mm
栅极/发射极*大电压: 20 V; *小工作温度: - 40 C ;安装风格: Screw
北京京诚宏泰科技*代理及经销品牌功率器件:英飞凌,赛米控,三菱,富士,东芝,三社,三垦,日立,日之出,因达,黑金刚,西门子,泰科,西玛,伟肯,ABB,IXYS,IR,eupec,等功率模块 GTR,IGBT,IPM,PIM,GTO,达林顿,大功率晶闸管,IGBT驱动,风机,ABB变频器备件,可控硅,整流桥,二极管,场效应及电解电容. 欢迎新老客户来电来函详谈.
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