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    62mmC-series module with trench/field stop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode
    英飞凌IGBT模块FF400R12KE3变频器IGBT模块 IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
    产品:  IGBT Silicon Modules   配置:  Dual   
    集电极—发射极*大电压 VCEO:  1200 V ;  集电极—射极饱和电压:  2.15 V   
    在25 C的连续集电极电流:  580 A ;  栅极—射极漏泄电流:  400 nA   
    功率耗散:  2000 W ;  *大工作温度:  + 125 C  ; 封装 / 箱体:  62 mm   
    栅极/发射极*大电压:  20 V;  *小工作温度:  - 40 C  ;安装风格:  Screw 
     北京京诚宏泰科技*代理及经销品牌功率器件:英飞凌,赛米控,三菱,富士,东芝,三社,三垦,日立,日之出,因达,黑金刚,西门子,泰科,西玛,伟肯,ABB,IXYS,IR,eupec,等功率模块 GTR,IGBT,IPM,PIM,GTO,达林顿,大功率晶闸管,IGBT驱动,风机,ABB变频器备件,可控硅,整流桥,二极管,场效应及电解电容. 欢迎新老客户来电来函详谈.
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